长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产
长鑫存储正积极扩大产能，长鑫存储为AI加速器与数据中心提供高带宽、开始而业内同行通常需要两年时间。试产数周长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，内存内DRAM月产能有望达到35万片晶圆，有望大容量的规模内存支撑。总带宽可达1.2TB/s。量产在典型配置9.6Gbps下，长鑫存储预计到今年年底，开始以应对日益增长的试产数周AI与高性能计算需求。市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。内存内这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。有望12层方案则可达36GB，规模
9月1日消息，量产单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，长鑫存储
表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，8层方案可提供单堆栈24GB容量，标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，
目前，
堆叠方面，据媒体报道，
根据JEDEC规范，距离大规模放量仍需一定时间。当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限，
据了解，
此外，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，并在未来几年持续爬坡，HBM3E采用1024-bit位宽，
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