减少对台积电依赖!SK海力士考虑将部分HBM裸片交由英特尔生产
8月31日消息,减少积电SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片(Base Die)的对台生产交由英特尔代工,以减少对台积电晶圆代工的依赖由英过度依赖。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。海力
在HBM3E及此前世代,士考生产SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。虑将M裸然而,部分随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的片交持续提升,自HBM4起,减少积电公司已转由台积电代工,对台目前量产中的依赖由英HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。
业内分析指出,海力在HBM4方案中,士考生产台积电代工的虑将M裸基础裸片价格,已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的部分3至4倍。预计到HBM4E阶段,这一成本负担将进一步加重。
与此同时,由于HBM产品多采用长期供货合同(LTA)模式,占比极高,SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。因此,建立多供应商体系、增强价格谈判能力,已成为其供应链战略的必然选择。
若英特尔成功加入供应链,SK海力士不仅有望降低单位成本、提升供应稳定性,还能有效分散地缘与产能风险,减少对单一代工厂的依赖。
SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案,以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。
对此,SK海力士回应:“我司难以确认技术路线图的具体内容;此外,关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事,并未进行相关探讨。”
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